5G standardı, olağanüstü yüksek aktarım hızları, düşük gecikme süreleri, çok düşük güç tüketimi ve tüm mobil cihazlar diğer uyumlu sistemler için yüksek ağ kapasitesi vaad ediyor. Tüm bu yetenekler, yalnızca akıllı telefonları değil, birbirine bağlı milyarlarca Nesnelerin İnterneti (IoT) cihazını da dönüştüren UFS 3.0 gibi yüksek hızlı veri arabirimlerine ihtiyaç duyulmasına sebep oluyor.
UFS 3.0 flash arayüzü ile sağlanan yüksek performans sayesinde 5G mobil cihazlar, artırılmış gerçeklik (AR), sanal gerçeklik (VR) ve yeni nesil mobil oyunlar gibi uygulamalar için gereken yüksek performans ve düşük gecikme sürelerine sahip olacaklar. Ayrıca 5G tarafından sunulacak yüksek bağlantı hızları ile yüksek çözünürlüklü fotoğraflar ya da 4K/8K videoların hızlı bir şekilde indirilip kaydedilebilmesi için gereken hızlar da sağlanmış olacak.
NAND flash çözümlerinin önde gelen üreticileri Samsung ve Western Digital, yeni nesil mobil cihazlar için eUFS çözümlerini duyurdular. Duyurusu ilk gerçekleştirilen ürün Western Digital’in iNAND® MC EU511 oldu. 96 katmanlı 3D-NAND teknolojisine sahip ürün Universal Flash Storage (UFS) 3.0 Gear 4/2 Lane şartnamesi ile belirlenen özelliklere sahip. iNAND SmartSLC Generation 6 sayesinde 750MB/s değerine ulaşan sıralı yazma hızları sağlıyor. Bu hız değeri, bir önceki UFS çözümünden neredeyse iki katı. Artan rastgele okuma yazma performansı ve 64GB ile 512GB arasındaki farklı kapasite seçenekleri sayesinde iNAND MC EU511 5G standardı ile uyumlu telefonlara gereken depolama gücünü sağlayacak. Western Digital, iNAND MC EU511 EFD çözümlerinin örneklerini üreticilere göndermeye başlamış durumda.
Western Digital tarafından yapılan duyurudan bir kaç gün sonra Samsung, yeni nesil mobil cihazlar için 512GB eUFS (embedded Universal Flash Storage) 3.0 çözümlerinin seri üretimine başladığını duyurdu. Yeni Samsung flash bellekler bir önceki nesil eUFS depolamaya (eUFS 2.1) göre iki kat daha yüksek hız sunarak, yüksek çözünürlüklü ve büyük ekranlı akıllı telefonda en iyi kullanıcı deneyimini sağlıyor.
Samsung 512GB eUFS 3.0; firmanın 8 adet 5.nesil 512-gigabit V-NAND ile yüksek performanslı kontrolcüyü bir arada kullanması ile elde edilmiş. 2,100MB/s değeri ile yeni eUFS çözümü bir önceki çözümün (eUFS 2.1) iki katı daha yüksek aktarım hızı sunuyor. Akıllı telefonlarda Full-HD kalitesinde bir videoyu 3 saniyede aktarmayı sağlayan bu değer, aynı zamanda SATA arayüzlü SSD sürücüden 4 kat, ortalama bir microSD karttan ise 20 kat yüksek okuma hızını ifade ediyor. Yazma hızında da sağlanan %50 oranında artış ile aktarım hızında 410MB/s değeri elde edilmiş, bu da SATA SSD sürücü performansına eşit bir değer.
Mart ayı içerisinde kullanıma sunacağı 512GB ve 128GB eUFS 3.0 çözümlerinin ardından, Samsung bu yılın ikinci yarısında 1TB ve 256GB kapasiteli modelleri de cihaz üreticilerinin kullanımına sunmayı planlıyor.
Kaynak : Samsung, Western Digital