Samsung Electronics, endüstrinin ilk 12 nanometre (nm)-class  süreç teknolojisi kullanılarak oluşturulmuş 16 gigabit (Gb) DDR5 DRAM’in geliştirildiğini ve AMD ile uyumluluk için ürün değerlendirmesinin tamamlandığını duyurdu.

Bellek teknolojisindeki bu yeni sıçrama; hücre direncini artıran yeni high-κ malzeme kullanımı ve kritik devre özelliklerini iyileştiren tescilli tasarım teknolojisi kullanımı ile mümkün hale gelmiş. Gelişmiş çok katmanlı aşırı ultraviyole (EUV-extreme ultraviolet) litografisi birleştirilen yeni DRAM, wafer üretkenliğinde yüzde 20’lik bir kazanç sağlayan, endüstrinin en yüksek die-kalıp yoğunluğuna sahip.

Yeni DDR5 standardının tüm avantajlarına sahip olan Samsung 12nm-class DRAM, saniyede 7,2 gigabit’e (Gbps) varan hızlara ulaşmanın kapısını aralayacak. Bunun anlamı her biri 30 GB (gigabayt) boyutunda iki UHD filmi yalnızca bir saniyede işlenebilecek olması.

Yeni DRAM olağanüstü hız sunarken, güç verimliliğinde de geliştirmelere sahip. Önceki DRAM’lere göre yüzde 23’e kadar daha az güç tüketen 12nm-class DRAM, çevre dostu uygulamaları tercih eden küresel BT şirketleri için en uygun bellek çözümlerinden biri olacak.

2023 yılında seri üretime başlamayı planlayan Samsung; 12nm-class süreç teknolojisi ile üretilen DRAM serisini farklı pazarlarda kullanılmasını sağlamak ve yeni nesil bilgi işlem sistemlerine çözümler sunmak için endüstri lideri ortakları ile çalışmalarını sürdürüyor.

Kaynak : Samsung