Samsung, sunucu anakartındaki bellek yuvalarını artırmadan daha fazla bellek ve bant genişliği sağlayan MRDIMM – Multi-Ranked Buffered Dual In-Line Memory Module bellek modülü geliştirdiğini duyurdu. Bu yeni modül, 8,8 Gb/sn’ye kadar veri aktarım hızları sunmak için iki DDR5 bileşenini birleştirerek mevcut DRAM bileşenlerinin bant genişliğini iki katına çıkarıyor.

Daha önce haberini yaptığımız SK hynix MCR DIMM bellek modülleri gibi MRDIMM’in, verileri işlemek ve yüksek hızlarda karmaşık hesaplamalar yapmak için Yüksek Performanslı Bilgi İşlem (HPC) gerektiren yapay zeka uygulamaları için aktif olarak benimsenmesi beklenmektedir.

MRDIMM Özellikleri

MRDIMM, CPU’nun iki özdeş DDR5 DIMM’den oluşan bir yonga seti düzenine sahip tek bir DIMM üzerinde aynı anda iki bellek sırasına (rank) erişmesini sağlar. CPU, aynı anda iki DRAM birimine erişerek DIMM’den gelen bellek bant genişliğini etkili bir şekilde iki katına çıkarılması sağlanır. İki DRAM birimine erişim, DRAM üzerinde yerleşik özel bir mux veri tamponu kullanılarak gerçekleştirilir, bu da her iki DIMM’e aynı anda erişime izin verir ve böylece ana bilgisayara veri aktarım hızını iki katına çıkarır.

Samsung’un birinci nesil MRDIMM’leri 8,8 Gb/s’ye varan veri aktarım hızları sunmakta. Samsung şu anda gelişmiş performans, kapasite ve güç tüketimine sahip 16Gb Mono MRDIMM cihazlarının örneklerini sunmuş durumda. Bu yenilikçi bellek çözümü ile Samsung, Yapay Zeka (AI), Makine Öğrenimi (ML) ve Büyük Dil Modeli (LLM) işleme için bir sonraki adıma hazırlanıyor.

Kaynak : Samsung