Buradasınız
Anasayfa > DRAM-Yarı İletken

DRAM-Yarı İletken

Samsung ve Western Digital 512GB UFS 3.0 Çözümlerini Duyurdu

5G standardı, olağanüstü yüksek aktarım hızları, düşük gecikme süreleri, çok düşük güç tüketimi ve tüm mobil cihazlar diğer uyumlu sistemler için yüksek ağ kapasitesi vaad ediyor. Tüm bu yetenekler, yalnızca akıllı telefonları değil, birbirine bağlı milyarlarca Nesnelerin İnterneti (IoT) cihazını da dönüştüren UFS 3.0 gibi yüksek hızlı veri arabirimlerine ihtiyaç

Samsung 4Gb LPDDR3 SDRAM Üretimine Başladığını Duyurdu

Samsung Electronics Co Ltd,  yeni nesil düşük güç tüketimli DRAM ürünü olan LPDDR3 SDRAM yongalarını ISSCC'de  (International Solid-State Circuits Conference- Uluslararası Katı Hal Devreleri Konferansı) duyurdu. Firma; "2012'nin akıllı telefonlarında en çok kullanılan DRAM bu ürün olacaktır." açıklamasını yaptı. 4Gbit kapasiteli LPDDR3 SDRAM 30nm süreç teknolojisi ile üretiliyor. Gerek duyduğu güç 1,2V. Veri

Samsung, Toggle DDR 2.0 arayüzünü kullanan ilk 64-gigabit MLC NAND Flash Ürünleri Hazırladığını Duyurdu

Gelişmiş bellek teknolojileri alanında dünya lideri Samsung Electronics Co., Ltd.;  endüstrinin yüksek başarımlı ilk toggle DDR 2.0 multi-level-cell (MLC) bellek yongalarının üretimine başladığını duyurdu.  Yeni  NAND flaş yongaları;  gelişmiş 20 nanometer (nm) class* üretim teknolosi ile üretildikleri için, 64 gigabit (Gb) değerine ulaşan sığaya sahipler.  Yeni yonga, akıllı telefonlar, tabletler ve Katı Hal Sürücüler (SSD) gibi yüksek başarım ihtiyacı olan

SAMSUNG, 30nm-class teknolojisine sahip en yüksek kapasiteli Mobil DRAM ürettiğini duyurdu

Gelişmiş bellek teknolojileri alanında dünya lideri Samsung Electronics Co., Ltd.;   30 nanometer (nm) class teknolojisine sahip, düşük güç tüketen DDR2 (LPDDR2) DRAM yongalarının üretimine başladığını duyurdu. Yeni yonga, daha ince, hafif ve uzun pil ömrüne sahip  akıllı telefon, tablet bilgisayar gibi taşınabilir cihazların üretilmesini sağlayacak. Samsung, 4Gb LPDDR2 DRAM yongaların ilk

SAMSUNG’dan Yüksek I/O Arayüzüne Sahip Yeni DRAM

Gelişmiş bellek teknolojileri alanında dünya lideri Samsung Electronics Co., Ltd.;  50 nanometre teknolojisi ile üretilmiş, yüksek I/O arayüzüne sahip 1 gigabit mobil DRAM geliştirdiğini duyurdu.  Yeni I/O arayüzü; akıllı telefonlar ve tablet bilgisayarlar gibi mobil uygulamalarda kullanılacak. 1Gb  I/O değerine sahip yeni mobil DRAM saniyede 12,8 gigabayt veri aktarım hızına sahip, bu

IBM ve Samsung’dan, Yarı İletken Araştırmalarında İşbirliği

IBM ve Samsung yeni yarı iletken malzemeler, üretim süreçleri ve diğer teknolojiler ile ilgili araştırma alanlarında işbirliği yapacaklarını duyurdular.  Bu işbirliği ile;  her iki şirket de akıllı telefonlardan, iletişim altyapılarına kadar geniş bir yepazede kullanılabilecek olan yeni yarı iletken üretim süreçlerini birlikte geliştirecek. Öncelikli olarak; Samsung araştırmacıları, Albany Nanotech Complex, Albany, N.Y.'de

Top