Gelişmiş bellek teknolojisinde dünya lideri Samsung Electronics, endüstrinin en gelişmiş 12 nanometre (nm) sınıfı süreç teknolojisini kullanan 16 gigabit (Gb) DDR5 DRAM seri üretime başladığını duyurdu. Samsung’un son teknoloji üretim sürecini tamamlaması, en ileri DRAM teknolojisindeki liderliğini yeniden öne çıkarıyor.

Bir önceki nesil ile karşılaştırıldığında, Samsung’un yeni 12nm sınıfı DDR5 DRAM’i, güç tüketimini %23’e kadar azaltırken, yonga plakası-wafer üretkenliğini %20’ye kadar artırır. Olağanüstü güç verimliliği yeni DRAM ürünlerinin sunucularının ve veri merkezlerinin enerji tüketimini ve karbon ayak izi değerini azaltmak isteyen küresel BT şirketleri ve kurumlar için ideal çözüm haline getiriyor.

Samsung’un 12nm sınıfı süreç teknolojisini geliştirmesi, hücre direncini artırmayı sağlayan yeni bir yüksek-κ (high-κ) malzeme kullanılması sayesinde mümkün oldu. Yüksek direnç, veri sinyallerinde belirgin bir elektrik potansiyeli farkına sebep olduğundan, sinyalleri ayırt etmek daha kolay hale gelir. Samsung’un çalışma voltajını düşürme ve daha düşük gürültü/parazit düzeyi elde etme çabaları müşterilerin ihtiyacı olan en iyi çözümleri sunmayı sağladı.

Saniyede 7,2 gigabit (Gbps) azami hıza sahip Samsung 12nm sınıfı DDR5 DRAM serisi, 30 GB boyutlu iki UHD filmi yaklaşık bir saniyede işleyebilen hızları ile veri merkezleri, yapay zeka ve yeni nesil bilgi işlem uygulamalarının kullanım ihtiyaçlarına çözüm sunmaktadır.

AMD ile uyumluluk için 16 gigabit DDR5 DRAM değerlendirmesini 2022 Aralık ayında tamamlayan Samsung, yeni nesil DRAM pazarında yenilikleri desteklemek için küresel BT şirketleri ile işbirliğini sürdürüyor.

Kaynak : Samsung