Gelişmiş bellek teknolojileri alanında dünya lideri Samsung Electronics Co., Ltd.; 32 gigabyte (GB) belleklerin seri üretimine başladığını duyurdu. 30 nanometer (nm) class 4 gigabit (Gb) DDR3 DRAM yongalarının kullanıldığı yeni bellekler, gelişmiş sunucu sistemleri ve bulut bilişim gibi hizmetler için uygun bellek çözümü olacak.

Samsung  30nm-class 4Gb DDR3 yongalar; 40nm-class 4Gb DDR3 yongalardan %50 daha fazla üretkenlik sunuyor. Bu sayede pazara girişte  büyük başarı sağlaması hedefleniyor.

Daha önce 16GB RDIMM bellek kullanıcılara sunulmuştu. Yeni 32GB registered dual inline memory module (RDIMM) ve  8GB small outline dual in-line memory module (SO-DIMM) belleklerin eklenmesi ile, Samsung 30nm-class 4Gb green DDR3-tabanlı ürün yelpazesini tamamlamış oldu.

30nm-class 4Gb LPDDR2 DRAM  yongaların hemen ardından yeni DDR3 belleklerini duyuran Samsung, taşınabilir cihazlardan, gelişmiş sunucu sistemlerine uzanan pazarın 30nm-class DRAM çözümlere ihtiyacını karşılamış oluyor.

Samsung’un yeni 32GB RDIMM bellekleri 1.35-volt güç tüketimine sahip, saniyede 1,866 megabit veri işliyor. Bu 40nm-class 32GB RDIMM belleklerden %40 daha fazla üretkenlik ve %18 daha az güç tüketimi sağlıyor. International Consumer Electronics Show (CES) 2011 Innovation Award etkinliğinde Eco-Design Award ödülünü alan 40nm-class 32GB RDIMM belleklerin yanı sıra sunulan 8GB SO-DIMM bellekler de 2,133 Mbps veri işleme hızına ve 1.5 volt güç tüketim değerlerine sahipler

Samsung, 2012 yılında toplan DRAM üretimin yüzde 10 kadarının 4Gb ve üzeri yongalardan oluşacağını tahmin ediyor.