Gelişmiş bellek teknolojileri alanında dünya lideri Samsung Electronics Co., Ltd.;   30 nanometer (nm) class teknolojisine sahip, düşük güç tüketen DDR2 (LPDDR2) DRAM yongalarının üretimine başladığını duyurdu. Yeni yonga, daha ince, hafif ve uzun pil ömrüne sahip  akıllı telefon, tablet bilgisayar gibi taşınabilir cihazların üretilmesini sağlayacak.

Samsung, 4Gb LPDDR2 DRAM yongaların ilk örneklerini Aralık 2010’da duyurmuş, ürünlerin seri üretimi ise artık başlamış durumda.  Bir önceki nesil 40nm-class 2Gb LPDDR2 DRAM yongalar ile kıyaslandığında,  30nm-class 4Gb LPDDR2 DRAM üretkenliği %60 arttırıyor.

Yeni yonga ayrıca yüksek başarım ve verimli enerji kullanımını da bir araya getiriyor 1066Mbps veri aktarım hızı ile 333/400Mbps veri aktarım hızı sunan mevcut MDDR yongalardan 3 kat daha hızlı.

Bu özelliklerine ek olarak yeni yonga daha ince bellek çözümlerine olanak tanıyor. Bir önceki nesil LPDDR2 yongalarla 1GB (8Gb) LPDDR2 oluşturulurken 4 adet 2Gb yonga kullanılmak durumundaydı. Yeni 4Gb LPDDR2 yongalarla aynı kapasitede bellek elde etmek için sadece 2 adet yonga kullanılacak. Güç tüketimi ise %25 daha düşük olacak.

Samsung, yeni 4Gb LPDDR2 tabanlı çözümlerin taşınabilir cihaz üreticilerinin çift işlemci gibi yüksek bellek ihtiyacı duyan üst sınıf ürün modellerinde rekabet güçlerini artıracağını belirtiyor.