Samsung Electronics Co Ltd, yeni nesil düşük güç tüketimli DRAM ürünü olan LPDDR3 SDRAM yongalarını ISSCC’de (International Solid-State Circuits Conference- Uluslararası Katı Hal Devreleri Konferansı) duyurdu.
Firma; “2012’nin akıllı telefonlarında en çok kullanılan DRAM bu ürün olacaktır.” açıklamasını yaptı.
4Gbit kapasiteli LPDDR3 SDRAM 30nm süreç teknolojisi ile üretiliyor. Gerek duyduğu güç 1,2V. Veri aktarım hızı 1,6Gbps değerine ulaşabiliyor. veriyolu genişliği 32 bit olduğu için, yonga veri aktarım hızı 6.4GBps değerine ulaşabiliyor. İlk kez bir LPDDR3 ürünü ISSCC etkinliğinde tanıtıldı.
Günümüz akıllı telefonlarında kullanılan LPDDR2, terminal başına 800Mbps veri aktarım hızına sahip. Ve tüm yonganın veri aktarım hızı 3,2Gbps değerine ulaşıyor. Çalışma gücü ise 1,2V . Diğer bir değişle; Samsung aynı çalışma gücü ile terminal başına veri aktarım hızını 2 katına çıkarmış durumda.
4-Gbit LPDDR3 SDRAM yongasının alanı is 82mm2. 8 bank ve 8 önbellekten oluşuyor ve LPDDR2 DRAM ile geriye dönük uyumluluğa sahip. Samsung yeni LPDDR3 yongalar ile hızı dahili veriyolu genişliğini 2 katına çıkarmış oluyor. Ayrıca sinyal bütünlüğünü geliştirmek için terminalleri güçlendirmiş.
Kaynak: Techon