Gelişmiş bellek teknolojileri alanında dünya lideri Samsung Electronics Co., Ltd.;  endüstrinin yüksek başarımlı ilk toggle DDR 2.0 multi-level-cell (MLC) bellek yongalarının üretimine başladığını duyurdu.  Yeni  NAND flaş yongaları;  gelişmiş 20 nanometer (nm) class* üretim teknolosi ile üretildikleri için, 64 gigabit (Gb) değerine ulaşan sığaya sahipler.  Yeni yonga, akıllı telefonlar, tabletler ve Katı Hal Sürücüler (SSD) gibi yüksek başarım ihtiyacı olan ürünleri desteklemek için tasarlandı.

Sahip olduğu toggle DDR (Double Data Rate) 2.0 arayüzü ile yeni 64Gb MLC yonga, saniyede 400 megabit (400Mbps) değerine ulaşan hızlarda veri aktarabilecek. Bu hız,  günümüzde yaygın olarak kullanılan 40Mbps hızındaki  Single Data Rate (SDR) NAND belleklerin 10 katı, Samsung tarafından 2009 yılında kullanıma sunulan 133Mbps toggle DDR 1.0, 32Gb NAND belleklerin ise 3 katı.

400Mbps değerine ulaşan yüksek bant genişliğine sahip toggle DDR 2.0 USB 3.0 ve SATA 6.0Gbps gibi yüksek başarım ve kapasiteye ihtiyaç duyan,  yeni gelişmiş arayüzlere sahip taşınabilir cihazlara daha iyi destek verecek.

Yeni 64Gb MLC NAND yongalar ayrıca toggle DDR 1.0 arayüzlü 20nm-class 32Gb MLC NAND yongalardan %50, 30nm-class 32Gb MLC NAND yongalardan %100 daha fazla üretkenlik sunuyor.