Gelişmiş bellek teknolojileri alanında dünya lideri Samsung Electronics Co., Ltd.; 30 nanometre teknolojisi ile üretilmiş ilk DDR4 DRAM belleği geliştirdiğini açıkladı.

Yeni DDR4 DRAM bellek saniyede 2,133 gigabit veri aktarabiliyor ve güç tüketimi 1,2V.  Mevcut DDR teknolojisi olan DDR3 belleklerde bu değerler 1,600Gbps ve 1,35V.  Bir dizüstü bilgisayarda kullanılan DDR4 bellek sayesinde 1,5V DDR3 belleğe göre bellek  güç tüketimi %40 daha düşük olacak.

Yeni DDR4 modüller, Pseudo Open Drain (POD) teknolojisine sahipler. Bu teknoloji sayesinde yüksek başarıma sahip grafik DRAM veri okuma yazma esnasında DDR3 belleğin yarısı kadar güç harcamakta.

Yeni devre mimarisi sayesinde Samsung DDR4 bellekler 1,6 ile 3,2Gbps arasında hız değerleri sunacak. Mevcut DDR2 ve DDR3 bellek hızları ise sırasıyla 1,6Gbps ve 800Mbps.

DDR4’ün ilk örneklerini geliştiren Samsung, sunucu üreticileri ile işbirliği yaparak bu yılın ikinci yarısı içerisinde DDR4’ün JEDEC standardı olarak tanınmasının tamamlanmasını hedefliyor.