Gelişmiş bellek teknolojileri alanında dünya lideri Samsung Electronics Co., Ltd.;  50 nanometre teknolojisi ile üretilmiş, yüksek I/O arayüzüne sahip 1 gigabit mobil DRAM geliştirdiğini duyurdu.  Yeni I/O arayüzü; akıllı telefonlar ve tablet bilgisayarlar gibi mobil uygulamalarda kullanılacak.
1Gb  I/O değerine sahip yeni mobil DRAM saniyede 12,8 gigabayt veri aktarım hızına sahip, bu değer mevcut 1,6GB/s veri aktarım hızına sahip DDR DRAM değerinin 8 katı, güç harcaması ise mevcut değerlerden %87 daha düşük. Yeni nesil DRAM ‘in aktarım hızı ayrıca 3,2Gb/s aktarım hızına sahip LPDDR2 DRAM’in 4 katı.

Veri aktarım hızını artırmak için yeni DRAM veri giriş çıkışı için 512 adet temas noktasına sahip bir arayüz kullanmakta, önceki nesil mobil DRAM yongalarında bu değer en fazla 32 adet idi. Komut gönderme ve güç değerini düzeneleyen bacaklar da sayıldığında yeni Samsung DRAM in temas noktası sayısı 120 değerine ulaşıyor.

2009 yılında ilk 50nm 1Gb LPDDR2 DRAM yongasını, 2010 yılında ilk 40nm 2Gb LPDDR2 DRAM yongasını üreten Samsung; bu  yeni nesil I/O DRAM yonasının ardından 2013 yılında 20nm 4Gb I/O DRAM’i üretmeyi planlıyor.